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GE V7768-320000 3509301007768-320000B VME单板计算机
时间: 2024-05-13浏览次数:
GE V7768-320000 3509301007768-320000B VME单板计算机

GE Fanuc 智能平台 V7768 英特尔酷睿2双核/赛扬M VME单板计算机 特征 高达2.16 GHz的英特尔酷睿2双核处理器 高达4兆字节的L2缓存 经过单个SODIMM供给高达2gb的DDR2 SDRAM 667 MHz体系和内存总线 高达8gb的可发动CompactFlash 一个PCI-X PMC扩展站点 PMC237CM1/V的板对板连接 PMC扩展板 前面板上的2个千兆以太网 2个串行端口 4个USB 2.0端口 2个SATA 前面板上的PS/2键盘/鼠标 Windows XP操作体系支撑, VxWorks和Linux V7768是一台VMEbus单板计算机 来自通用电气发那科智能平台,供给高达 经过英特尔酷睿2处理器获得2.16 GHz的处理速度 双核处理器,最高配有2gb DDR 2 SDRAM。 该主板集成了英特尔945GME Express 芯片组,并供给了非常丰富的I/O集,使这 这是我们庞大产品线的一个非常灵敏的补充 英特尔架构VME SBCs。I/O选项包括 双千兆以太网、两个SATA接口、四个 的USB 2.0端口、键盘/鼠标/SVGA 前面板,以及支撑PCI-X的PMC站点。 V7768还供给赛扬M处理器 选项允许20度以上的 工作温度上限。 V7768进一步供给了客户定义的I/O 板对板连接器的功用 对于PMC237CM1/V PMC扩展板 来自通用电气发那科智能平台 客户增加了三个PMC扩展站点 除了V7768上的PCI-X PMC站点。 标准 处理器 2.16 GHz英特尔酷睿2双核处理器 1.07 GHz的英特尔赛扬M处理器 4兆字节高速缓存(Core 2 Duo选项)和1兆字节 (赛扬M选项) 酷睿2双核处理器上的667 MHz体系和内存总线 选项,上的533 MHz体系和内存总线 赛扬M选项 同步动态随机存取记忆体(Synchronous Dynamic random access memory) 最大内存装备为2gb DDR2 SDRAM经过单个SODIMM 紧凑型闪光灯 可经过以下方法访问高达8 GB的CompactFlash 辅佐IDE端口 CompactFlash能够装备为引导设备 经过BIOS引导设备设置 根本输入输出体系 供给了V7768体系BIOS和视频BIOS 在可重编程闪存中。 以太网 经过英特尔82571的双千兆以太网接口 两个端口都连接到前面板RJ45连接器 经过PXE进行网络引导 USB端口 四个USB 2.0端口:两个经过P2连接到后部I/O,两个连接到 面板 支撑的USB功用包括 -同步数据传输 -异步音讯传递 -外围设备的自我识别和装备 -动态(热)连接 VMEbus背板接口 Tundra Universe II支撑VME64形式: a32/A24/D32/D08(EO)/mblt 64/BLT 32 硬件字节交换 增强的总线错误处理.

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V7768英特尔酷睿2双核/赛扬M处理器VME单板计算机 标准(续) 串行端口 经过DB-9连接器的两个16550兼容串行端口:COM1连接到前面板,COM2连接到P2 端口支撑独立的16字节FIFO 波特率高达115千波特 PMC扩展插槽 一个133 MHz PCI-X PMC站点 依据VITA35、P4V2-46dz的46针P2用户I/O 添加3个32位/33 MHz PMC站点 PMC237CM1/V 可编程定时器 两个16位定时器和两个32位定时器 映射到PCI内存空间 彻底软件可编程,并且可以 产生PCI总线中止 看门狗定时器 可编程距离 中止和电路板复位触发器 非易失性SRAM 32千字节非易失性SRAM 规模 6U(4HP)单槽欧洲卡外形 高度:9.2英寸。(233.4毫米) 深度:6.3英寸。(160毫米) 厚度:0.8英寸。(20.3毫米) 电源要求 +5伏直流电(5%)、1安(典型值)、1安(最大值) +12伏直流电(5%),小于1毫安 -12伏直流电(5%,小于1毫安 注意:VME接口只允许-4.875的较低电压 注:不包括PMC站点的电力需求 气流 需要强制空气冷却 400 LFM最小值,在出口处测量 散热器的 温度 工作温度:0至+70摄氏度(英特尔赛扬M) 0至+55摄氏度(英特尔酷睿2双核处理器) 贮存温度:-40至+80摄氏度 海拔 操作:0-10,000英尺(3,000米) 存储空间:0至40,000英尺(12,000米) 湿度 运营: 相对湿度5%至95%,无冷凝 存储: 相对湿度5%至95%,无冷凝


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